Датчик давления воздуха на впуске (ManifoldAbsolutePressureSensor), далее именуемый MAP. Он подключен к впускному коллектору с помощью вакуумной трубки. При различных нагрузках на обороты двигателя он может определять изменение вакуума во впускном коллекторе, а затем преобразовывать изменение сопротивления внутри датчика в сигнал напряжения, который может использоваться ЭБУ для коррекции объема впрыска и угла опережения зажигания.
В двигателе EFI датчик давления впуска используется для определения объема впуска, который называется системой впрыска D (тип плотности скорости). Датчик давления впуска определяет объем впуска, не определяется напрямую, как датчик расхода впуска, а определяется косвенно. В то же время на него также влияют многие факторы, поэтому существует много различных мест в обнаружении и обслуживании от датчика расхода впуска, и генерируемая неисправность также имеет свою особенность
Датчик давления на впуске определяет абсолютное давление впускного коллектора за дроссельной заслонкой. Он определяет изменение абсолютного давления в коллекторе в зависимости от частоты вращения двигателя и нагрузки, а затем преобразует его в напряжение сигнала и отправляет его в блок управления двигателем (ЭБУ). ЭБУ управляет основным объемом впрыска топлива в зависимости от величины напряжения сигнала.
Существует много видов датчиков давления на входе, таких как варисторного типа и емкостного типа. Варистор широко используется в системе впрыска D из-за своих преимуществ, таких как быстрое время отклика, высокая точность обнаружения, небольшой размер и гибкая установка.
На рисунке 1 показано соединение между варисторным датчиком давления на впуске и компьютером. На рисунке 2 показан принцип работы варисторного датчика давления на впуске, а R на рисунке 1 — это тензорезисторы R1, R2, R3 и R4 на рисунке 2, которые образуют мост Уитстона и соединены вместе с кремниевой диафрагмой. Кремниевая диафрагма может деформироваться под действием абсолютного давления в коллекторе, что приводит к изменению значения сопротивления тензорезистора R. Чем выше абсолютное давление в коллекторе, тем больше деформация кремниевой диафрагмы и тем больше изменение значения сопротивления сопротивления R. То есть механические изменения кремниевой диафрагмы преобразуются в электрические сигналы, которые усиливаются интегральной схемой и затем выводятся в ЭБУ
