Датчик давления воздуха на впуске (ManifoldAbsolutePressureSensor), именуемый в дальнейшем MAP.Он соединен с впускным коллектором вакуумной трубкой.При различных нагрузках на частоту вращения двигателя он может определять изменение вакуума во впускном коллекторе, а затем преобразовывать изменение сопротивления внутри датчика в сигнал напряжения, который может использоваться ЭБУ для корректировки количества впрыска и угла опережения зажигания.
В двигателе EFI датчик давления на впуске используется для определения объема впуска, который называется системой впрыска D (тип плотности скорости).Датчик давления на впуске определяет объем впуска не напрямую, как датчик расхода на впуске, а косвенно.В то же время на него также влияет множество факторов, поэтому существует много разных мест при обнаружении и обслуживании датчика расхода на впуске, и возникающая неисправность также имеет свою особенность.
Датчик давления на впуске определяет абсолютное давление во впускном коллекторе за дроссельной заслонкой.Он определяет изменение абсолютного давления в коллекторе в зависимости от частоты вращения и нагрузки двигателя, а затем преобразует его в напряжение сигнала и отправляет его в блок управления двигателем (ECU).ЭБУ регулирует базовый объем впрыска топлива в соответствии с величиной напряжения сигнала.
Существует множество типов датчиков давления на входе, например, варисторного типа и емкостного типа.Варистор широко используется в системе впрыска D из-за его преимуществ, таких как быстрое время отклика, высокая точность обнаружения, небольшой размер и гибкая установка.
На рисунке 1 показано соединение варисторного датчика давления на впуске и ЭБУ.ИНЖИР.2 показан принцип работы датчика давления на входе варисторного типа, а R на фиг.1 — тензорезисторы R1, R2, R3 и R4 на фиг.2, которые образуют мост Уитстона и соединены между собой кремниевой диафрагмой.Кремниевая диафрагма может деформироваться под действием абсолютного давления в коллекторе, что приводит к изменению значения сопротивления деформации R. Чем выше абсолютное давление в коллекторе, тем больше деформация кремниевой диафрагмы и тем больше изменение значение сопротивления R. То есть механические изменения кремниевой диафрагмы преобразуются в электрические сигналы, которые усиливаются интегральной схемой и затем выводятся в ЭБУ
